FESB8AT-E3/81
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Deutsch
Artikelnummer: | FESB8AT-E3/81 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
800+ | $0.7496 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 8 A |
Spannung - Sperr (Vr) (max) | 50 V |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB (D²PAK) |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | - |
Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 35 ns |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur - Anschluss | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 50 V |
Strom - Richt (Io) | 8A |
Kapazität @ Vr, F | - |
Grundproduktnummer | FESB8 |
FESB8AT-E3/81 Einzelheiten PDF [English] | FESB8AT-E3/81 PDF - EN.pdf |
FESB8ATHE3 VISHAY
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
FESB8BT VISHAY
FESB8BT-E3 VISHAY
DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FESB8AT-E3/81Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|